- Driver MOSFET a canale N sincrono, ad alta velocità e con tensione elevata
- Tensione di alimentazione max. di 100 V
- Temperatura operativa di giunzione compresa tra -40°C e +150°C
- Elevata corrente di funzionamento, impedenza pull-down di 0,75 Ohm
- Tensione di azionamento del gate da 4,5 V/7,2 V a 13,5 V
- Protezione adattiva che impedisce conduzioni di corrente simultanee
- Pilotaggio dei MOSFET superiore e inferiore
- Tempi di salita e discesa del gate superiore rispettivamente di 8 ns e di 5 ns con carichi di 1.000 pF
- Tempo di salita e discesa del gate inferiore rispettivamente di 6 ns e 3 ns con carichi di 1.000 pF
- Blocco della sottotensione per la tensione di pilotaggio del gate
- Package MSOP-8 con caratteristiche termiche avanzate










